Ганьшин Игорь Николаевич

Дата и место рождения

21 марта 1965 года, Московская область. 

Образование

1988 г. - Московский авиационный институт им. С. Орджоникидзе, специальность «Радиоэлектроника летательных аппаратов».

2012 г. - Дипломатическая академия МИД России, специальность «Международные отношения».

Ученая степень

Кандидат исторических наук.

Трудовая деятельность

1988 - 1992 гг. - инженер НИИ прикладной механики и электродинамики Московского авиационного института им. С. Орджоникидзе.

1992 – 1994 гг. - ведущий специалист Министерства науки, высшей школы и технической политики Российской Федерации.

1994 - 1997 гг. - вице-консул Генерального консульства России в Шанхае.

1997 - 1999 гг. - главный специалист Министерства науки и технологий Российской Федерации.

1999 г. - вице-консул Генерального консульства России в Шанхае.

1999 - 2003 гг. - второй секретарь Посольства России в Китае.

2003 - 2005 гг. - заместитель руководителя службы ФГУП «НИИ «Восход».

2005 - 2010 гг. - советник по науке Посольства России в Китае.

2010 - 2014 гг. - профессор Санкт-Петербургского государственного экономического университета.

2014 - 2017 гг. - заместитель директора Международного департамента.

2017 г. - директор Международного департамента.

Награды

Почетный работник высшего профессионального образования Российской Федерации.

Дополнительная информация

Женат, две взрослые дочери.

Владеет английским и китайским языками.

Действительный государственный советник Российской Федерации 3-го класса.

Версия для печати